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HIGH BANDWIDTH MEMORY

Micron HBM3E

美光的8高和12高HBM3E内存以比竞争对手低30%的功耗进一步推动了人工智能创新. 美光8高24GB将在2024年第二季度与NVIDIA H200张量核心gpu一起发货. 微米12高的36GB样品现在可用.

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Expansion

With support of $6.美光计划在美国市场投资500亿美元的总资本支出.S. 到2030年国内领先的内存制造

这些拨款将支持在博伊西建设一家领先的内存制造工厂, 爱达荷州的两个领先的记忆晶圆厂的建设, New York. 这是美光未来20多年在尖端存储器制造领域投资高达1250亿美元的第一步. 这些设施预计将创造约7.5万个就业机会.S. 创造就业机会,建立供应链弹性,确保美国经济增长.S. 经济和国家安全将推动美国的技术领先地位.

美国地图,里面有一个晶圆饼

Markets & Industries

工业物联网的内存和存储技术

美光的创新内存和存储技术组合有助于创建“更智能”的物联网设备,并通过一系列选项支持各种各样的行业. In addition, 美光设备可用于各种应用,如物联网网关和边缘服务器, industrial automation, 航空航天,国防和视频安全.

Storage

推进数据中心存储

美光先进的基于NAND的数据中心ssd提供广泛的容量和部署选项,为各种数据中心工作负载提供灵活的解决方案设计. 全球首款200+层数据中心SSD, 美光6500 ION NVMe™固态硬盘, 提供一流的性能, features 30.72TB的存储空间和增强的安全功能.

数据中心夜间用紫色和蓝色照明

创新使新的解决方案成为可能

Data center

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Client PC

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Automotive

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Mobile

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